收藏本站
DMP3030SN
3
-10V
3
2.5
2
1.5
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
T A = 25°C
2.5
2
1.5
V DS = 10V
1
0.5
-3V
1
0.5
T J = 125°C
V GS = -2.5V
T J = 25°C
T J = -55°C
0
0
1 2 3 4
5
0
0
1 2 3 4
5
0.8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T J = 25°C
0.6
I D = -0.4A
I D = -0.7A
V GS = -4.5V
0.4
V GS = -10V
0.2
0
0
2 4 6 8
10
0.1
0
0.5
1 1.5 2 2.5
3
0.8
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On-Resistance vs. Gate Voltage
2
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current
1.8
1.6
0.6
1.4
I D = -0.4A, -0.7A
1.2
0.4
V GS = -4.5V
1
0.8
0.6
0.2
V GS = -10V
I D = -0.7A
0.4
0.2
0
-50
0 50 100 150
0
-50
0 50 100 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate-Source Threshold Voltage with Temperature
DMP3030SN
Document number: DS30787 Rev. 5 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP3035LSS-13 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
DMP3056LDM-7 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
DMP3056LSD-13 MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
DMP3056LSS-13 MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
DMP3098L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
DMP3098LDM-7 MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
DMP3098LSD-13 MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
DMP3098LSS-13 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
DMP3035LSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP3035LSS-13 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP3035SFG-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:1
DMP3050LSS-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 30V 4.8A SO-8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V P-CH MOSFET
DMP3050LVT-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V P-CH MOSFET 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
DMP3056LDM 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH W DIO 30V 5A SOT26 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, W DIO, 30V, 5A, SOT26 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, W DIO, 30V, 5A, SOT26; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:1.25W ;RoHS Compliant: Yes
DMP3056LDM-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube